半導(dǎo)體芯片的冷熱沖擊試驗(yàn)方法
更新時(shí)間：2023-01-17 點(diǎn)擊量：1143
半導(dǎo)體芯片進(jìn)行冷熱沖擊試驗(yàn)時(shí)，應(yīng)注意：- 根據(jù)產(chǎn)品使用環(huán)境確定試驗(yàn)溫度。
- 試件暴露于極值溫度的持續(xù)時(shí)間應(yīng)為半導(dǎo)體芯片的實(shí)際工作時(shí)間或溫度穩(wěn)定的時(shí)間。GJB 150中規(guī)定持續(xù)時(shí)間一般為1h，或者是溫度達(dá)到穩(wěn)定的時(shí)間，當(dāng)溫度穩(wěn)定的時(shí)間超過1h，則使用溫度穩(wěn)定時(shí)間。
- 轉(zhuǎn)換時(shí)間與溫度變化速率，GJB 要求會比 GB 要求更為嚴(yán)苛。例如，GJB 150A 中要求轉(zhuǎn)換時(shí)間盡可能短，轉(zhuǎn)換時(shí)間要求不大于1min ,溫度變化速率小于3℃/min，如果因?yàn)樵嚇映叽邕^大，導(dǎo)致時(shí)間超過 1min ，應(yīng)說明合理性。
半導(dǎo)體芯片冷熱沖擊方法
將試件芯片通電置于置物架上；
根據(jù)要求設(shè)定試驗(yàn)溫度；
首先對試件進(jìn)行低溫試驗(yàn)，再進(jìn)行高溫試驗(yàn)，循環(huán)次數(shù)依要求進(jìn)行；
記錄半導(dǎo)體芯片工作狀態(tài)下，在設(shè)定溫度下的相關(guān)參數(shù), 對產(chǎn)品分析, 工藝改進(jìn)以及批次的定向品質(zhì)追溯提供確實(shí)的數(shù)據(jù)依據(jù)。
冷熱沖擊方向選擇
試件從低溫或是高溫試驗(yàn)開始，不同標(biāo)準(zhǔn)有不同的解析。若試驗(yàn)從低溫段開始，試驗(yàn)結(jié)束在高溫段；若試驗(yàn)從高溫段開始，結(jié)束在低溫段。為防止試件在試驗(yàn)結(jié)束后表面產(chǎn)品凝露，試驗(yàn)結(jié)束在低溫段時(shí)需要增加烘干恢復(fù)的過程，這樣就增加了試驗(yàn)周期，建議試驗(yàn)從低溫段開始，結(jié)束在高溫段。
